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E1780TG65E

厂家：
  IXYS
封装：
 -
数量：
 261  
说明：
 DIODE GEN PURP 3.6KV 1780A -
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E1780TG65E--图片

E1780TG65E PDF参数资料

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：-
封装/外壳：TO-200AF
安装类型：底座安装
不同?Vr、F 时电容：-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：100 mA @ 3600 V
反向恢复时间 (trr)：1.22 μs
速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：3.83 V @ 1.78 kA
电流 - 平均整流 (Io)：1780A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：3600 V
技术：标准
产品状态：Digi-Key 停止提供
包装：SONIC-FRD?
系列：盒
品牌：IXYS

以上是E1780TG65E的详细信息，包括E1780TG65E厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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