DTDG14GPT100

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中文参数如下：

工厂包装数量：1000
最小工作温度：- 55 C
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
包装形式：Reel
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：0.5 W
峰值直流集电极电流：1000 mA
集电极连续电流：1 A
集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
直流集电极/Base Gain hfe Min：300
封装形式：SC-62
安装风格：SMD/SMT
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：开关晶体管 - 偏压电阻器
制造商：ROHM Semiconductor

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