首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 两极晶体管 - BJT > DTB123TCT116

DTB123TCT116

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: SST3
数量：: 1566
说明：: PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST

一、本商品被浏览0次.

DTB123TCT116 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
供应商器件：SST3
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安装类型：表面贴装型
功率 - 最大值：200 mW
频率 - 跃迁：200 MHz
电流 - 集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 2.5mA，50mA
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 50mA，5V
电阻器 - 发射极 (R2)：-
电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms
电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA
晶体管类型：PNP - 预偏压
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

以上是DTB123TCT116的详细信息，包括DTB123TCT116厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：