DTB114GCT116

厂家:
  Rohm Semiconductor
封装:
 SST3
数量:
 12650  
说明:
 PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
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DTB114GCT116 PDF参数资料

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中文参数如下:
供应商器件:SST3
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
安装类型:表面贴装型
功率 - 最大值:200 mW
频率 - 跃迁:200 MHz
电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):56 @ 50mA,5V
电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
电阻器 - 基极 (R1):-
电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA
晶体管类型:PNP - 预偏压
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Rohm Semiconductor

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