DTA123EMFHAT2L

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: VMT3
数量：: 15920
说明：: PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI

一、本商品被浏览0次.

DTA123EMFHAT2L PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
供应商器件：VMT3
封装/外壳：SOT-723
安装类型：表面贴装型
功率 - 最大值：150 mW
频率 - 跃迁：250 MHz
电流 - 集电极截止（最大值）：-
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 500μA，10mA
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：20 @ 20mA，5V
电阻器 - 发射极 (R2)：2.2 kOhms
电阻器 - 基极 (R1)：2.2 kOhms
电压 - 集射极击穿（最大值）：-
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA
晶体管类型：PNP - 预偏压
产品状态：在售
包装：Automotive, AEC-Q101
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

以上是DTA123EMFHAT2L的详细信息，包括DTA123EMFHAT2L厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：