DP0150ALP4-7B

厂家：: Diodes Inc.
封装：: X2-DFN1006-3
数量：: 3618
说明：: 两极晶体管 - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K

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中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：3-XFDFN
安装类型：表面贴装型
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
频率 - 跃迁：80MHz
功率 - 最大值：450 mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 2mA，6V
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 10mA，100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA
晶体管类型：PNP
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Diodes Incorporated

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