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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:37.5 ns
上升时间:26.9 ns
功率耗散:0.82 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:3.7 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :4 S
下降时间:32.3 ns
包装形式:Reel
封装形式:WL-CSP1010H6-4
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):102 mOhms
漏极连续电流:- 2.6 A
闸/源击穿电压:- 5 V
汲极/源极击穿电压:- 12 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
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