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DMN26D0UFB4-7

厂家：
  Diodes Inc.
封装：
 3-XFDFN
数量：
 33838  
说明：
 MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan
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DMN26D0UFB4-7-3-XFDFN图片

DMN26D0UFB4-7 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：29 ns
功率耗散：350 mW
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：0.242 S
包装形式：Reel
封装形式：DFN1006
安装风格：SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.8 Ohms
漏极连续电流：230 mA
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是DMN26D0UFB4-7的详细信息，包括DMN26D0UFB4-7厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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