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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:46.5 nS
上升时间:10.3 nS
功率耗散:0.8 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:6.5 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :10 S
下降时间:22.2 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOT-23-3
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):80 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流:- 2.7 A
闸/源击穿电压:+/- 8 V
汲极/源极击穿电压:- 20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Diodes Inc.
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