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DGTD65T15H2TF

厂家：: Diodes Incorporated
封装：: ITO-220AB
数量：: 1904
说明：: IGBT600V-XITO-220AB

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DGTD65T15H2TF PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片
安装类型：通孔
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：150 ns
测试条件：400V，15A，10 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：19ns/128ns
栅极电荷：61 nC
输入类型：标准
开关能量：270μJ（开），86μJ（关）
功率 - 最大值：48 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，15A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：60 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
IGBT 类型：场截止
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Diodes Incorporated

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