DG636EN-T1-E4

厂家：: Vishay
封装：: 16-迷你型QFN（1.8x2.6）
数量：: 3852
说明：: 模拟开关 IC Dual SPDT Switches

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DG636EN-T1-E4 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：DG636EN-E4
开关电流（最大值）：0.000001 mA, - 0.000001 mA
电源电压-最小：2.7 V
电源电压-最大：12 V
电源电流（最大值）：0.0005 mA, - 0.0005 mA
电源电流：+/- 0.000001 mA at +/- 5 V
包装形式：Reel
最小工作温度：- 40 C
最大功率耗散：525 mW
封装形式：miniQFN
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 125 C
工作电源电压：3 V, 5 V
关闭时间（最大值）：76 ns
开启时间（最大值）：108 ns
开启电阻（最大值）：245 Ohms
开关配置：SPDT
开关数量：2
RoHS：是
产品种类：模拟开关 IC
制造商：Vishay

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