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DD1200S17H4B2BOSA2

厂家：: Infineon Technologies
封装：: AG-IHMB130-1
数量：: 486
说明：: DIODE MODULE 1200V 1200A

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DD1200S17H4B2BOSA2 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：AG-IHMB130-1
封装/外壳：模块
安装类型：底座安装
工作温度 - 结：-40°C ~ 150°C
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：1250 A @ 900 V
反向恢复时间 (trr)：-
速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：2.1 V @ 1200 A
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：-
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1700 V
技术：标准
二极管配置：2 个独立式
产品状态：在售
包装：-
系列：托盘
品牌：Infineon Technologies

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