D650N04TXPSA1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 -
数量:
 4221  
说明:
 DIODE GEN PURP 400V 650A
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D650N04TXPSA1 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装工作温度 - 结封装:-
封装/外壳:DO-200AA,A-PUK
安装类型:底座安装
不同?Vr、F 时电容:-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20 mA @ 400 V
反向恢复时间 (trr):-
速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 450 A
电流 - 平均整流 (Io):650A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V
技术:标准
产品状态:停产
包装:-
系列:散装
品牌:Infineon Technologies

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