D45H2A_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220
数量：: 6894
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Power Transistor

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D45H2A_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Tube
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：60000 mW
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：100
增益带宽产品fT：25 MHz
最大直流电集电极电流：8 A
集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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