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CZT2680

厂家：: Central Semiconductor
封装：: SOT-223
数量：: 1665
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN High Voltage Switching

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CZT2680 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：1000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：2 W
封装形式：SOT-223
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：15
增益带宽产品fT：80 MHz
最大直流电集电极电流：1.5 A
集电极—射极饱和电压：200 V
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：200 V
集电极—基极电压 VCBO：250 V
晶体管极性：NPN
RoHS：过渡期间
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

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