首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 集成电路 - IC > 内存 > 电可擦除可编程只读存储器 > CY7C15632KV18-500BZXI

CY7C15632KV18-500BZXI

厂家：
  Cypress Semiconductor
封装：
 165-FBGA（13x15）
数量：
 7254  
说明：
 静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 500MHz QDR II 静态随机存取存储器
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
CY7C15632KV18-500BZXI-165-FBGA（13x15）图片

CY7C15632KV18-500BZXI PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

类型：QDRII SRAM
工厂包装数量：136
最大时钟频率：500 MHz
接口：DDR
包装形式：Tray
封装形式：FBGA-165
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 40 C
最大工作温度：+ 85 C
最大工作电流：850 mA
电源电压-最小：1.7 V
电源电压-最大：1.9 V
访问时间：1 ms
组织：4 M x 18
存储容量：72 Mbit
RoHS：是
制造商：Cypress Semiconductor

以上是CY7C15632KV18-500BZXI的详细信息，包括CY7C15632KV18-500BZXI厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他内存产品：

NVRAM   闪存   动态随机存取存储器   可擦除可编程ROM   F-RAM  

电可擦除可编程只读存储器最新产品：

  • S29GL064S90TFA020
  • S29GL064S90BHA040
  • S29GL128N90FFAR20
  • S29GL128N11FAA02
  • S29GL064S90TFI020
  • S29GL128S90FFA023
  • S29GL256N11FFI023
  • 24FC16-E/SN36KVAO
  • 24FC01-E/SN36KVAO
  • 24FC01T-E/ST36KVAO

    • 相近型号推荐

    • CY7C1563XV18-600BZXC图片

      CY7C1563XV18-600BZXC

      静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 600MHz QDR II 静态随机存取存储器

    • CY7C1563XV18-633BZXC图片

      CY7C1563XV18-633BZXC

      静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 633MHz QDR II 静态随机存取存储器

    • CY7C1564XV18-366BZC图片

      CY7C1564XV18-366BZC

      静态随机存取存储器 72MB (2Mx36) 1.8v 366MHz QDR II 静态随机存取存储器

    • CY7C1564XV18-366BZXC图片

      CY7C1564XV18-366BZXC

      静态随机存取存储器 72MB (2Mx36) 1.8v 366MHz QDR II 静态随机存取存储器

    • CY7C1564XV18-450BZC图片

      CY7C1564XV18-450BZC

      静态随机存取存储器 72MB (2Mx36) 1.8v 450MHz QDR II 静态随机存取存储器

    • CY7C1564XV18-450BZXC图片

      CY7C1564XV18-450BZXC

      静态随机存取存储器 72MB (2Mx36) 1.8v 450MHz QDR II 静态随机存取存储器

    • CY7C1565KV18-400BZC图片

      CY7C1565KV18-400BZC

      静态随机存取存储器 72MB (2Mx36) 1.8v 400MHz QDR II 静态随机存取存储器

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC