首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 集成电路 - IC > 内存 > 电可擦除可编程只读存储器 > CY7C1514V18-200BZXC

CY7C1514V18-200BZXC

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 165-FBGA（15x17）
数量：
 4590  
说明：
 IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165FBGA
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
CY7C1514V18-200BZXC-165-FBGA（15x17）图片

CY7C1514V18-200BZXC PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
格式 - 存储器RAM
存储器类型SRAM - 同步，QDR II
存储容量72M (2M x 36)
速度200MHz
接口串行
电源电压1.7 V ~ 1.9 V
工作温度0°C ~ 70°C

以上是CY7C1514V18-200BZXC的详细信息，包括CY7C1514V18-200BZXC厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他内存产品：

NVRAM   闪存   动态随机存取存储器   可擦除可编程ROM   F-RAM  

电可擦除可编程只读存储器最新产品：

  • S29GL256N11FFA02
  • S29GL064S90TFA020
  • S29GL064S90BHA040
  • S29GL128N90FFAR20
  • S29GL128N11FAA02
  • S29GL064S90TFI020
  • S29GL128S90FFA023
  • S29GL256N11FFI023
  • 24FC16-E/SN36KVAO
  • 24FC01-E/SN36KVAO

    • 相近型号推荐

    • CY7C1514V18-250BZC图片

      CY7C1514V18-250BZC

      静态随机存取存储器 2M x 36 1.8V QDR II 静态随机存取存储器 COM

    • CY7C1514V18-250BZI图片

      CY7C1514V18-250BZI

      静态随机存取存储器 2M x 36 1.8V QDR II 静态随机存取存储器 IND

    • CY7C1515JV18-300BZC图片

      CY7C1515JV18-300BZC

      静态随机存取存储器 2M x 36 1.8V QDR 静态随机存取存储器 Four-Word Burst

    • CY7C1515JV18-300BZXC图片

      CY7C1515JV18-300BZXC

      静态随机存取存储器 2M x 36 1.8V QDR 静态随机存取存储器 Four-Word Burst

    • CY7C1515KV18-250BZC图片

      CY7C1515KV18-250BZC

      静态随机存取存储器 72MB (2Mx36) 1.8v 250MHz QDR II 静态随机存取存储器

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC