首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 集成电路 - IC > 内存 > 电可擦除可编程只读存储器 > CY7C1512AV18-200BZI

CY7C1512AV18-200BZI

厂家：
  Cypress Semiconductor
封装：
 165-FBGA（15x17）
数量：
 8721  
说明：
 静态随机存取存储器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 静态随机存取存储器
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
CY7C1512AV18-200BZI-165-FBGA（15x17）图片

CY7C1512AV18-200BZI PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

类型：Synchronous
工厂包装数量：102
最大时钟频率：200 MHz
封装形式：FBGA
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 40 C
最大工作温度：+ 85 C
最大工作电流：800 mA
电源电压-最小：1.7 V
电源电压-最大：1.9 V
访问时间：0.45 ns
存储容量：72 Mbit
RoHS：否
产品种类：静态随机存取存储器
制造商：Cypress Semiconductor

以上是CY7C1512AV18-200BZI的详细信息，包括CY7C1512AV18-200BZI厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他内存产品：

NVRAM   闪存   动态随机存取存储器   可擦除可编程ROM   F-RAM  

电可擦除可编程只读存储器最新产品：

  • W631GU8MB09I
  • W631GG6NB09J
  • W631GG6MB09I
  • W631GG8MB11I
  • W631GG8NB11J
  • W631GU6NB12J
  • W631GG8NB12J
  • W631GU6NB09J
  • W631GG6NB15J
  • W631GU6NB11J

    • 相近型号推荐

    • CY7C1512AV18-250BZC图片

      CY7C1512AV18-250BZC

      静态随机存取存储器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 静态随机存取存储器

    • CY7C1512AV18-250BZI图片

      CY7C1512AV18-250BZI

      静态随机存取存储器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 静态随机存取存储器

    • CY7C1512JV18-267BZI图片

      CY7C1512JV18-267BZI

      静态随机存取存储器 4Mx18 72M QDR-II Burst 2 静态随机存取存储器

    • CY7C1512KV18-250BZC图片

      CY7C1512KV18-250BZC

      静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 250MHz QDR II 静态随机存取存储器

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC