首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 集成电路 - IC > 内存 > 电可擦除可编程只读存储器 > CY7C1425UV18-267BZI

CY7C1425UV18-267BZI

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 165-FBGA（13x15）
数量：
 6687  
说明：
 IC SRAM 4MX9 QDRII 165-FBGA
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

CY7C1425UV18-267BZI PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装：165-FBGA（13x15）
封装/外壳：165-LBGA
安装类型：表面贴装型
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
电压 - 供电：1.7V ~ 1.9V
访问时间：-
写周期时间 - 字，页：-
时钟频率：267 MHz
存储器接口：并联
存储器组织：4M x 9
存储容量：36Mb
技术：SRAM - 同步，QDR II
存储器格式：SRAM
存储器类型：易失
产品状态：停产
包装：-
系列：袋
品牌：Infineon Technologies

以上是CY7C1425UV18-267BZI的详细信息，包括CY7C1425UV18-267BZI厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他内存产品：

NVRAM   闪存   动态随机存取存储器   可擦除可编程ROM   F-RAM  

电可擦除可编程只读存储器最新产品：

  • S29GL064S80FHIS20
  • S29GL064S90TFA043
  • S29GL256S11TFI020
  • S29GL512S10FHA023
  • S29GL256N11FFA02
  • S29GL064S90TFA020
  • S29GL064S90BHA040
  • S29GL128N90FFAR20
  • S29GL128N11FAA02
  • S29GL064S90TFI020

    • 相近型号推荐

    • CY7C1426KV18-250BZC图片

      CY7C1426KV18-250BZC

      静态随机存取存储器 36MB (4Mx9) 1.8v 250MHz QDR II 静态随机存取存储器

    • CY7C1426KV18-250BZXC图片

      CY7C1426KV18-250BZXC

      静态随机存取存储器 36MB (4Mx9) 2.9v 250MHz QDR II 静态随机存取存储器

    • CY7C1426KV18-300BZC图片

      CY7C1426KV18-300BZC

      静态随机存取存储器 36MB (4Mx9) 1.8v 300MHz QDR II 静态随机存取存储器

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC