首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 集成电路 - IC > 内存 > 电可擦除可编程只读存储器 > CY7C1413KV18-250BZCT

CY7C1413KV18-250BZCT

厂家：
  Cypress Semiconductor
封装：
 165-FBGA（13x15）
数量：
 1629  
说明：
 静态随机存取存储器 36864KB 1ms 470mA
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
CY7C1413KV18-250BZCT-165-FBGA（13x15）图片

CY7C1413KV18-250BZCT PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：1000
最大时钟频率：250 MHz
包装形式：Reel
封装形式：FBGA-165
安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：+ 70 C
最大工作电流：470 mA
电源电压-最小：1.7 V
访问时间：1 ms
组织：2 M x 18
存储容量：36864 KB
RoHS：否
制造商：Cypress Semiconductor

以上是CY7C1413KV18-250BZCT的详细信息，包括CY7C1413KV18-250BZCT厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他内存产品：

NVRAM   闪存   动态随机存取存储器   可擦除可编程ROM   F-RAM  

电可擦除可编程只读存储器最新产品：

  • S29GL064S80FHIS20
  • S29GL064S90TFA043
  • S29GL256S11TFI020
  • S29GL512S10FHA023
  • S29GL256N11FFA02
  • S29GL064S90TFA020
  • S29GL064S90BHA040
  • S29GL128N90FFAR20
  • S29GL128N11FAA02
  • S29GL064S90TFI020

    • 相近型号推荐

    • CY7C1413KV18-250BZI图片

      CY7C1413KV18-250BZI

      静态随机存取存储器 36MB (2Mx18) 1.8v 250MHz QDR II 静态随机存取存储器

    • CY7C1413KV18-250BZXC图片

      CY7C1413KV18-250BZXC

      静态随机存取存储器 36MB (2Mx18) 1.8v 250MHz QDR II 静态随机存取存储器

    • CY7C1413KV18-250BZXI图片

      CY7C1413KV18-250BZXI

      静态随机存取存储器 36MB (2Mx18) 1.8v 250MHz QDR II 静态随机存取存储器

    • CY7C1413KV18-300BZC图片

      CY7C1413KV18-300BZC

      静态随机存取存储器 36MB (2Mx18) 1.8v 300MHz QDR II 静态随机存取存储器

    • CY7C1413KV18-300BZXC图片

      CY7C1413KV18-300BZXC

      静态随机存取存储器 36MB (2Mx18) 1.8v 300MHz QDR II 静态随机存取存储器

    • CY7C1413KV18-333BZC图片

      CY7C1413KV18-333BZC

      静态随机存取存储器 36MB (2Mx18) 1.8v 333MHz QDR II 静态随机存取存储器

    • CY7C1413KV18-333BZI图片

      CY7C1413KV18-333BZI

      静态随机存取存储器 36MB (2Mx18) 1.8v 333MHz QDR II 静态随机存取存储器

    • CY7C1413KV18-333BZXI图片

      CY7C1413KV18-333BZXI

      静态随机存取存储器 36MB (2Mx18) 1.8v 333MHz QDR II 静态随机存取存储器

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC