首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 集成电路 - IC > 内存 > 电可擦除可编程只读存储器 > CY7C141-25JXCT

CY7C141-25JXCT

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 52-PLCC（19.13x19.13）
数量：
 3978  
说明：
 IC SRAM 8KBIT 25NS 52PLCC
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
CY7C141-25JXCT-52-PLCC（19.13x19.13）图片

CY7C141-25JXCT PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
格式 - 存储器RAM
存储器类型SRAM - 双端口，异步
存储容量8K (1K x 8)
速度25ns
接口串行
电源电压4.5 V ~ 5.5 V
工作温度0°C ~ 70°C

以上是CY7C141-25JXCT的详细信息，包括CY7C141-25JXCT厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他内存产品：

NVRAM   闪存   动态随机存取存储器   可擦除可编程ROM   F-RAM  

电可擦除可编程只读存储器最新产品：

  • S29GL064S80FHIS20
  • S29GL064S90TFA043
  • S29GL256S11TFI020
  • S29GL512S10FHA023
  • S29GL256N11FFA02
  • S29GL064S90TFA020
  • S29GL064S90BHA040
  • S29GL128N90FFAR20
  • S29GL128N11FAA02
  • S29GL064S90TFI020

    • 相近型号推荐

    • CY7C1412AV18-167BZC图片

      CY7C1412AV18-167BZC

      静态随机存取存储器 2Mx18 QDR II Burst 2 静态随机存取存储器 COM

    • CY7C1412AV18-200BZC图片

      CY7C1412AV18-200BZC

      静态随机存取存储器 2Mx18 QDR II Burst 2 静态随机存取存储器 COM

    • CY7C1412AV18-250BZC图片

      CY7C1412AV18-250BZC

      静态随机存取存储器 2Mx18 QDR II Burst 2 静态随机存取存储器 COM

    • CY7C1412AV18-300BZC图片

      CY7C1412AV18-300BZC

      静态随机存取存储器 2Mx18 QDR II Burst 2 静态随机存取存储器 COM

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC