首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 集成电路 - IC > 内存 > 电可擦除可编程只读存储器 > CY7C1021CV33-8VXCT

CY7C1021CV33-8VXCT

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 44-SOJ
数量：
 1962  
说明：
 IC SRAM 1MBIT 8NS 44SOJ
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
CY7C1021CV33-8VXCT-44-SOJ图片

CY7C1021CV33-8VXCT PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
格式 - 存储器RAM
存储器类型SRAM - 异步
存储容量1M (64K x 16)
速度8ns
接口串行
电源电压3 V ~ 3.6 V
工作温度0°C ~ 70°C

以上是CY7C1021CV33-8VXCT的详细信息，包括CY7C1021CV33-8VXCT厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他内存产品：

NVRAM   闪存   动态随机存取存储器   可擦除可编程ROM   F-RAM  

电可擦除可编程只读存储器最新产品：

  • MT53E512M64D2NW-046 IT:B TR
  • MT53E1G64D4NW-046 WT:C
  • MT53E1G64D4SP-046 WT:C TR
  • MT53E1G32D2NP-046 WT:B
  • MT53E512M64D2RR-046 WT:B
  • MT53E1G32D2NP-046 WT:B TR
  • MT53E512M64D2NW-046 WT:B TR
  • CAT24C08HU4E-GT3
  • W25Q128JWCIQ
  • W25Q128JWCIQ TR

    • 相近型号推荐

    • CY7C1021D-10VXI图片

      CY7C1021D-10VXI

      静态随机存取存储器 1M 512K IND FAST ASYNC 静态随机存取存储器

    • CY7C1021D-10VXIT图片

      CY7C1021D-10VXIT

      静态随机存取存储器 1M 512K IND FAST ASYNC 静态随机存取存储器

    • CY7C1021D-10ZSXI图片

      CY7C1021D-10ZSXI

      静态随机存取存储器 1M 512K IND FAST ASYNC 静态随机存取存储器

    • CY7C1021D-10ZSXIT图片

      CY7C1021D-10ZSXIT

      静态随机存取存储器 1M 512K IND FAST ASYNC 静态随机存取存储器

    • CY7C1021DV33-10VXI图片

      CY7C1021DV33-10VXI

      静态随机存取存储器 1M 512K IND FAST ASYNC 静态随机存取存储器

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC