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中文参数如下：
工厂包装数量：1000
最小工作温度：- 65 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：10000
集电极连续电流：0.45 A
包装形式：Box
封装形式：SOT-89
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：1.2 W
最大集电极截止电流：0.1 uA
最大直流电集电极电流：0.5 A
集电极—基极电压 VCBO：60 V
发射极 - 基极电压 VEBO：10 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：过渡期间
产品种类：达林顿晶体管
制造商：Central Semiconductor
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