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中文参数如下:
输出设备:NPN Phototransistor
每芯片的通道数量:1 Channel
最大上升时间:2.4 us
最大反向二极管电压:5 V
最大输入二极管电流:75 mA
最大下降时间:2.7 us
正向电流:50 mA
包装形式:Reel
封装形式:DIP-4
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 85 C
最大功率耗散:250 mW
最大集电极电流:50 mA
最大正向二极管电压:1.6 V
电流传递比:100 % to 300 %
绝缘电压:13900 Vrms
最大集电极/发射极饱和电压:0.3 V
最大集电极/发射极电压:32 V
输入类型:DC
RoHS:是
产品种类:晶体管输出光电耦合器
制造商:Vishay
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