CMPT2222AE

厂家：: Central Semiconductor
封装：: SOT-23
数量：: 2294
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN Enhanced

一、本商品被浏览0次.

CMPT2222AE PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：350 mW
封装形式：SOT-23
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：60
增益带宽产品fT：300 MHz
最大直流电集电极电流：0.6 A
集电极—射极饱和电压：45 V
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：45 V
集电极—基极电压 VCBO：100 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

以上是CMPT2222AE的详细信息，包括CMPT2222AE厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：