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中文参数如下:
封装:SOT-23
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
安装类型:表面贴装型
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值:350 mW
电阻 - RDS(On):30 Ohms
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):14pF @ 20V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):4 V @ 1 nA
漏极电流 (Id) - 最大值:-
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss):50 mA @ 20 V
漏源电压(Vdss):40 V
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):40 V
FET 类型:N 通道
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR)
品牌:Central Semiconductor Corp
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