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中文参数如下:
电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开)2.6V @ 15V, 150A
电流 - 集电极 (Ic)(最大)150A
电流 - 集电极截止(最大)1mA
Vce 时的输入电容 (Cies)23nF @ 10V
功率 - 最大960W
输入标准型
配置半桥
NTC 热敏电阻是
安装类型底座安装
配用BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBTBG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBTBG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBTBG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT
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