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中文参数如下:
最大二极管电容:480 pF
封装形式:TO-220-2
安装风格:Through Hole
工作温度范围:- 55 C to + 175 C
最大功率耗散:60 W
最大反向漏泄电流:250 uA
正向电压下降:1.5 V
配置:Dual
最大浪涌电流:80 A
正向连续电流:6.5 A, 10 A
峰值反向电压:650 V
产品:Schottky Silicon Carbide Diodes
RoHS:是
制造商:Cree, Inc.
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