点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
工厂包装数量：100
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：250000 mW
封装形式：TO-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
最大直流电集电极电流：50 A
发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：200 V
集电极—基极电压 VCBO：300 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：STMicroelectronics
以上是BUV61的详细信息，包括BUV61厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!
