BUV28

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 TO-220
数量:
 1728  
说明:
 两极晶体管 - BJT Silicon NPN Swtching Transistor
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BUV28-TO-220图片

BUV28 PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:1000
包装形式:Tube
最小工作温度:- 65 C
最大功率耗散:85000 mW
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
最大直流电集电极电流:10 A
发射极 - 基极电压 VEBO:7 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:200 V
集电极—基极电压 VCBO:400 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:STMicroelectronics

以上是BUV28的详细信息,包括BUV28厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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