BUR52

中文参数如下：

工厂包装数量：20
包装形式：Tube
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：350000 mW
封装形式：TO-3
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：20
增益带宽产品fT：16 MHz
最大直流电集电极电流：60 A
发射极 - 基极电压 VEBO：10 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：250 V
集电极—基极电压 VCBO：350 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：STMicroelectronics

以上是BUR52的详细信息，包括BUR52厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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