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BULD1101ET4

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 DPAK
数量：
 7749  
说明：
 两极晶体管 - BJT Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
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BULD1101ET4 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2500
包装形式：Reel
最大功率耗散：35000 mW
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：20
最大直流电集电极电流：3 A
发射极 - 基极电压 VEBO：12 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：450 V
晶体管极性：NPN
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：STMicroelectronics

以上是BULD1101ET4的详细信息，包括BULD1101ET4厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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