BUK9Y30-75B,115

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: SC-100，SOT-669
数量：: 1980
说明：: MOSFET TRENCH 31V-99V G3

一、本商品被浏览0次.

BUK9Y30-75B,115 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：BUK9Y30-75B T/R
典型关闭延迟时间：51 ns
工厂包装数量：1500
上升时间：106 ns
功率耗散：85 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：83 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-669
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.028 Ohms
漏极连续电流：34 A
闸/源击穿电压：+/- 15 V
汲极/源极击穿电压：75 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：NXP

以上是BUK9Y30-75B,115的详细信息，包括BUK9Y30-75B,115厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：