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BUK962R5-60E,118

厂家：
  NXP Semiconductors
封装：
 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：
 11025  
说明：
 MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET
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BUK962R5-60E,118 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：800
功率耗散：357 W
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.5 mOhms
漏极连续电流：120 A
闸/源击穿电压：2.1 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

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