BUJ403A/DG,127

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 TO-220AB
数量:
 2115  
说明:
 MOSFET NPN POWER TRANSISTOR
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BUJ403A/DG,127 PDF参数资料

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中文参数如下:
供应商器件:
封装封装/外壳:TO-220-3
安装类型:通孔
工作温度:150°C(TJ)
频率 - 跃迁:-
功率 - 最大值:100 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 500mA,5V
电流 - 集电极截止(最大值):100μA
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):1V @ 400mA,2A
电压 - 集射极击穿(最大值):550 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6 A
晶体管类型:NPN
产品状态:在售
包装:-
系列:管件
品牌:WeEn Semiconductors

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