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BUD42DT4G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 TO-252-3 (DPAK)
数量：
 16498  
说明：
 两极晶体管 - BJT 4A 650V 25W NPN
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BUD42DT4G-TO-252-3 (DPAK)图片

BUD42DT4G PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：2500
包装形式：Reel
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：25 W
集电极连续电流：4 A
封装形式：TO-252-3 (DPAK)
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：8
最大直流电集电极电流：4 A
集电极—射极饱和电压：350 V
发射极 - 基极电压 VEBO：9 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：350 V
集电极—基极电压 VCBO：650 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是BUD42DT4G的详细信息，包括BUD42DT4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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