BU806

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220
数量：: 5814
说明：: 达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl

一、本商品被浏览0次.

BU806 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：TO-220-3
安装类型：通孔
工作温度：150°C（TJ）
频率 - 跃迁：-
功率 - 最大值：60 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：-
电流 - 集电极截止（最大值）：100μA
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 50mA，5A
电压 - 集射极击穿（最大值）：200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A
晶体管类型：NPN - 达林顿
产品状态：停产
包装：-
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

以上是BU806的详细信息，包括BU806厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：