BU2010L-7001M3/51

厂家:
  Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装:
 4-SIP,BU
数量:
 423  
说明:
 DIODE BRIDGE 20A 1000V
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BU2010L-7001M3/51 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装:isoCINK+? BU
封装/外壳:4-SIP,BU
安装类型:通孔
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 μA @ 1000 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 10 A
电流 - 平均整流 (Io):3.5 A
电压 - 峰值反向(最大值):1 kV
技术:标准
二极管类型:Single Phase
产品状态:停产
包装:-
系列:卷带(TR)
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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