首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > 两极晶体管 - BJT > BSV52_Q

BSV52_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SOT-23
数量：
 8892  
说明：
 两极晶体管 - BJT Switching Transistor NPN
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

BSV52_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：225 mW
集电极连续电流：0.2 A
封装形式：SOT-23
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：25 at 1 mA at 1 V
增益带宽产品fT：400 MHz
最大直流电集电极电流：0.2 A
集电极—射极饱和电压：12 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：12 V
集电极—基极电压 VCBO：20 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是BSV52_Q的详细信息，包括BSV52_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

两极晶体管 - BJT 最新产品：

  • DTC015EUBTL
  • DTC044TUBTL
  • DTA043TUBTL
  • DTC123YCA-HF
  • DTA123YCA-HF
  • DTA143XCA-HF
  • DTC114WCA-HF
  • DTC113ZCA-HF
  • DTC143XCA-HF
  • DTC114YCA-HF

    • 相近型号推荐

    • BSV52LT1图片

      BSV52LT1

      两极晶体管 - BJT 100mA 12V Switching

    • BSV52LT1G图片

      BSV52LT1G

      两极晶体管 - BJT 100mA 12V Switching NPN

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC