BSR50_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-92
数量：: 7596
说明：: 达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington

一、本商品被浏览0次.

BSR50_Q PDF参数资料

中文参数如下：

最小工作温度：- 55 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：1000
集电极连续电流：1.5 A
包装形式：Bulk
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：625 mW
最大集电极截止电流：0.05 uA
最大直流电集电极电流：1.5 A
集电极—基极电压 VCBO：60 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：45 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是BSR50_Q的详细信息，包括BSR50_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块