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BSM35GB120DN2

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 Half Bridge1
数量：
 702  
说明：
 IGBT 模块 1200V 35A DUAL
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BSM35GB120DN2-Half Bridge1图片

BSM35GB120DN2 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：500
安装风格：Screw
栅极/发射极最大电压：20 V
封装形式：Half Bridge1
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：280 W
栅极—射极漏泄电流：150 nA
在25 C的连续集电极电流：50 A
集电极—射极饱和电压：3.2 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Half Bridge Module
产品：IGBT Silicon Modules
RoHS：否
产品种类：IGBT 模块
制造商：Infineon

以上是BSM35GB120DN2的详细信息，包括BSM35GB120DN2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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