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BSM25GD120DN2E3224BOSA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: 模块
数量：: 8811
说明：: IGBT MOD 1200V 35A 200W

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BSM25GD120DN2E3224BOSA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装封装/外壳：模块
安装类型：底座安装
工作温度：150°C（TJ）
NTC 热敏电阻：无
输入：标准
不同?Vce 时输入电容 (Cies)：1.65 nF @ 25 V
电流 - 集电极截止（最大值）：800 μA
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：3V @ 15V，25A
功率 - 最大值：200 W
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
配置：三相反相器
IGBT 类型：-
产品状态：Digi-Key 停止提供
包装：-
系列：托盘
品牌：Infineon Technologies

以上是BSM25GD120DN2E3224BOSA1的详细信息，包括BSM25GD120DN2E3224BOSA1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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