BSM15GD120DN2E3224

中文参数如下：

安装风格：Screw
最小工作温度：- 40 C
栅极/发射极最大电压：20 V
包装形式：Reel
封装形式：EconoPACK 2
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：145 W
栅极—射极漏泄电流：150 nA
在25 C的连续集电极电流：25 A
集电极—射极饱和电压：2.5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
配置：Hex
产品：IGBT Silicon Modules
RoHS：是
制造商：Infineon

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