BPW85C

厂家:
  Vishay Semiconductors
封装:
 T-1
数量:
 5724  
说明:
 光电晶体管 NPN Phototransistor 70V 100mW 850nm
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BPW85C-T-1图片

BPW85C PDF参数资料

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中文参数如下:
波长:850 nm
类型:Chip
工厂包装数量:5000
产品:Phototransistors
包装形式:Bulk
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 100 C
集电极—射极饱和电压:0.3 V
集电极—射极击穿电压:70 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V
封装形式:T-1
最大暗电流:200 nA
最大功率耗散:100 mW
RoHS:是
产品种类:光电晶体管
制造商:Vishay

以上是BPW85C的详细信息,包括BPW85C厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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