BFR 740L3RH E6327

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 TSLP
数量:
 2799  
说明:
 射频硅锗晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor
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BFR 740L3RH E6327 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:BFR740L3RHE6327XT BFR740L3RHE6327XTSA1 SP000252393
工厂包装数量:1
系列:BFR740L3
最小工作温度:- 65 C
最大工作温度:+ 150 C
包装形式:Reel
封装形式:TSLP
功率耗散:160 mW
RoHS:是
产品种类:射频硅锗晶体管
制造商:Infineon

以上是BFR 740L3RH E6327的详细信息,包括BFR 740L3RH E6327厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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