BFN19TA

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

包装形式：Reel
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：1000 mW
封装形式：SOT-89
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：25 at 1 mA at 10 V
增益带宽产品fT：100 MHz
最大直流电集电极电流：0.2 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：300 V
集电极—基极电压 VCBO：300 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Diodes Inc.

以上是BFN19TA的详细信息，包括BFN19TA厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器   IGBT 模块  

两极晶体管 - BJT 最新产品：

TDTA114Y,LM

RN2310,LF

RN1308,LF

NHDTA123JUF

NHDTA124EUX

NHDTC123JUF

NHDTA123JUX

NHDTA114YUX

NHDTA114YUF

NHDTA144EUF