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中文参数如下：
工厂包装数量：2000
包装形式：Ammo
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：1.5 mW
集电极连续电流：0.1 A
封装形式：TO-92-3 (TO-226)
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：35 at 5 mA at 10 V
增益带宽产品fT：700 MHz
最大直流电集电极电流：0.1 A
集电极—射极饱和电压：20 V
发射极 - 基极电压 VEBO：3 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：20 V
集电极—基极电压 VCBO：30 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ON Semiconductor
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