BDX53TU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220
数量：: 3015
说明：: 达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial

一、本商品被浏览0次.

BDX53TU PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：50
最小工作温度：- 65 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：750
集电极连续电流：8 A
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：60 W
最大集电极截止电流：200 uA
最大直流电集电极电流：8 A
集电极—基极电压 VCBO：45 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：45 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：达林顿晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是BDX53TU的详细信息，包括BDX53TU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块