BDX33CTU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220
数量：: 2835
说明：: 达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial

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BDX33CTU PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：50
直流集电极/Base Gain hfe Min：750
集电极连续电流：10 A
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：70 W
最大集电极截止电流：200 uA
最大直流电集电极电流：10 A
集电极—基极电压 VCBO：100 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：达林顿晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor

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