BDW23ATU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220
数量：: 2502
说明：: 达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil

一、本商品被浏览0次.

BDW23ATU PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：50
直流集电极/Base Gain hfe Min：100
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
最大集电极截止电流：200 uA
最大直流电集电极电流：6 A
集电极—基极电压 VCBO：60 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：达林顿晶体管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是BDW23ATU的详细信息，包括BDW23ATU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块